RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

総合得点
star star star star star
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

総合得点
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB 考慮すべき理由
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 27
    周辺 26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.1 left arrow 17.6
    テスト平均値
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 13.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    20 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    19.1 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.1 left arrow 17.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3252 left arrow 3845

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAMの比較

Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
メモリRAM