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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

総合得点
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

総合得点
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    17 left arrow 25
    周辺 32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.8 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 13.4
    テスト平均値
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB 考慮すべき理由
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    17 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    22.8 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    15.4 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3391 left arrow 2786

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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
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メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Kingston 9905702-204.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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