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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

総合得点
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    17 left arrow 24
    周辺 29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.8 left arrow 15.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 12.4
    テスト平均値
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    17 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    22.8 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    15.4 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3391 left arrow 2854

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAMの比較

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Kingston 9965669-027.A00G 16GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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