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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

総合得点
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 39
    周辺 -30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 14
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    14.0 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 14.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2489 left arrow 3533

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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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