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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
総合得点
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
59
周辺 37% 低遅延
考慮すべき理由
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
20.1
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
10600
周辺 2.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
59
読み出し速度、GB/s
11.4
20.1
書き込み速度、GB/秒
7.4
10.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
23400
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1683
2382
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
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