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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 37
    周辺 -16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.5 left arrow 11.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    11.4 left arrow 19.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 14.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1683 left arrow 3430

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メモリRAM
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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