RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
バグを報告する
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 37
    周辺 -6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 11.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    11.4 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1683 left arrow 2613

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB RAMの比較

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
メモリRAM