RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 29
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.1 left arrow 16.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 12.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    16.9 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2601 left arrow 3379

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAMの比較

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB RAMの比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
メモリRAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
メモリRAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
メモリRAM