Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

総合得点

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

総合得点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

18 29

周辺 -61% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

20.4 16.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

17.2 12.0

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 18
読み出し速度、GB/s

16.9 20.4
書き込み速度、GB/秒

12.0 17.2
メモリ帯域幅、mbps

19200 19200

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2601 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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