RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比較する
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
総合得点
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
42
周辺 -56% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
9.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
27
読み出し速度、GB/s
13.2
16.5
書き込み速度、GB/秒
9.4
13.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2326
3061
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAMの比較
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link