RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs AMD R538G1601U2S 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

総合得点
star star star star star
AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
バグを報告する
AMD R538G1601U2S 8GB 考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 44
    周辺 -132% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.4 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 8.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 18.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2193 left arrow 3189

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAMの比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
メモリRAM
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
メモリRAM
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
メモリRAM