Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

総合得点

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

総合得点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 29

周辺 7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

13.9 12.7

テスト平均値

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

9.1 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 29
読み出し速度、GB/s

13.9 12.7
書き込み速度、GB/秒

8.4 9.1
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2251 2185

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

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Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

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Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB

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PNY Electronics PNY 2GB

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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

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Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

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Kingston 9965600-018.A00G 16GB

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