Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 31

周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

11.8 8.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

7.9 5.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

12800 8500

周辺 1.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

31 28
読み出し速度、GB/s

8.8 11.8
書き込み速度、GB/秒

5.1 7.9
メモリ帯域幅、mbps

8500 12800

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1423 1920

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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