RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比較する
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
総合得点
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
41
周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
9.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
37
読み出し速度、GB/s
13.9
15.4
書き込み速度、GB/秒
9.7
11.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2366
2321
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAMの比較
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link