RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

総合得点
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 72
    周辺 61% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 8.0
    テスト平均値
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 72
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1854 left arrow 1817

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB RAMの比較

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM