RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

総合得点
star star star star star
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB 考慮すべき理由
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,001.3 left arrow 10.3
    テスト平均値
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 58
    周辺 -61% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    4,796.5 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,001.3 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    768 left arrow 2466

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAMの比較

Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
メモリRAM
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
メモリRAM
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
メモリRAM