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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
総合得点
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
53
65
周辺 -23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
4.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
53
読み出し速度、GB/s
6.1
15.6
書き込み速度、GB/秒
4.2
13.7
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
985
2755
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
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