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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

総合得点
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 65
    周辺 -81% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 4.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.2 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    985 left arrow 2737

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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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