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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

総合得点
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 58
    周辺 55% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 9.5
    テスト平均値
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 14200
    周辺 1.35 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2558 left arrow 1998

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