RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

総合得点
star star star star star
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 43
    周辺 -43% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.7 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 21.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 3806

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB RAMの比較

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
メモリRAM
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
メモリRAM