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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

総合得点
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 38
    周辺 37% 低遅延
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.4 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2267 left arrow 2382

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
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メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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