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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
総合得点
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
44
周辺 -76% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
18.3
9.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
25
読み出し速度、GB/s
13.2
17.4
書き込み速度、GB/秒
9.1
18.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2302
3731
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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