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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比較する
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
39
周辺 28% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
14.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
10.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
39
読み出し速度、GB/s
18.2
14.3
書き込み速度、GB/秒
11.5
10.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
2159
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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