G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

総合得点

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

総合得点

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

相違点仕様コメント

相違点

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

21 30

周辺 30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.4 17

テスト平均値

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

考慮すべき理由
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

12.9 12.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

21 30
読み出し速度、GB/s

17.4 17.0
書き込み速度、GB/秒

12.2 12.9
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3130 3255

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

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Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

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Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

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