G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

総合得点

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

総合得点

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

相違点仕様コメント

相違点

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

21 35

周辺 40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.4 14.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.2 9.0

テスト平均値

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

考慮すべき理由
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 10600

周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

21 35
読み出し速度、GB/s

17.4 14.1
書き込み速度、GB/秒

12.2 9.0
メモリ帯域幅、mbps

10600 25600

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3130 2583

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB

Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB