RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

総合得点
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 28
    周辺 25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 17.1
    テスト平均値
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    21 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    17.4 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.2 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3130 left arrow 3480

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAMの比較

Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
メモリRAM