G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

総合得点

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

総合得点

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 35

周辺 17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

19.4 15.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.8 11.2

テスト平均値

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 17000

周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 35
読み出し速度、GB/s

19.4 15.4
書き込み速度、GB/秒

15.8 11.2
メモリ帯域幅、mbps

17000 21300

Other

商品説明

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3614 2676

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

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Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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Kingston 9905625-062.A00G 8GB

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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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