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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
32
周辺 9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
24
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
12.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
32
読み出し速度、GB/s
24.0
11.4
書き込み速度、GB/秒
20.0
12.7
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
2804
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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