RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston KTP9W1-MIE 16GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 34
    周辺 15% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    24 left arrow 15.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    20.0 left arrow 12.2
    テスト平均値
Kingston KTP9W1-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    24.0 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    20.0 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    4156 left arrow 2978

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
メモリRAM