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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比較する
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
38
周辺 24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
24
17.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
38
読み出し速度、GB/s
24.0
17.9
書き込み速度、GB/秒
20.0
10.4
メモリ帯域幅、mbps
17000
25600
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
3030
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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