RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 37
    周辺 22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    24 left arrow 15.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    20.0 left arrow 13.5
    テスト平均値
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    24.0 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    20.0 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    4156 left arrow 3075

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB RAMの比較

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
メモリRAM
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
メモリRAM