Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

総合得点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 18.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,066.5 14.0

テスト平均値

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 49

周辺 -81% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 6400

周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

49 27
読み出し速度、GB/s

4,577.1 18.2
書き込み速度、GB/秒

2,066.5 14.0
メモリ帯域幅、mbps

6400 17000

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

737 3538

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

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Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

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