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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

総合得点
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,066.5 left arrow 11.2
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 49
    周辺 -81% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    4,577.1 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,066.5 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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