RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点
star star star star star
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13.6
    テスト平均値
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 49
    周辺 -36% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.1 left arrow 2,066.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    4,577.1 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,066.5 left arrow 7.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    737 left arrow 2055

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAMの比較

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB RAMの比較

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
メモリRAM