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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

総合得点
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 62
    周辺 -88% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 3238

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
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メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston 9905702-204.A00G 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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