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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
比較する
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.4
テスト平均値
考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
62
周辺 -130% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
27
読み出し速度、GB/s
3,556.6
17.4
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
14.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
3692
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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