RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

総合得点
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 20.6
    テスト平均値
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 62
    周辺 -130% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.4 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 20.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 18.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 3826

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
メモリRAM