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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 27
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.3 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 19.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3964

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AMD R538G1601U2S 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
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メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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