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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 29
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 16
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3291

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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Super Talent F24EA8GS 8GB
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Kingston KF556C40-16 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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