RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
54
周辺 50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
15.2
テスト平均値
考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
11.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
54
読み出し速度、GB/s
16.7
15.2
書き込み速度、GB/秒
11.8
14.3
メモリ帯域幅、mbps
21300
25600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
2938
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB RAMの比較
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link