RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

総合得点
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 27
    周辺 -23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2989

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
メモリRAM