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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

総合得点
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 45
    周辺 36% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 11.9
    テスト平均値
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 11.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2171 left arrow 2077

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