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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

総合得点
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Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 19.4
    テスト平均値
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 65
    周辺 -242% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 1,592.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    3,580.8 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,592.0 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    572 left arrow 3290

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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Kingston 9965662-013.A01G 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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