Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905678-006.A00G 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 26

周辺 8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 14.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 10.9

テスト平均値

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

考慮すべき理由
Kingston 9905678-006.A00G 4GB

バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 26
読み出し速度、GB/s

16.0 14.8
書き込み速度、GB/秒

12.5 10.9
メモリ帯域幅、mbps

19200 19200

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 2412

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

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Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

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Kingston 9905700-012.A00G 8GB

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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

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