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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905702-010.A00G 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 30
    周辺 20% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 15.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 11.1
    テスト平均値
Kingston 9905702-010.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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メモリRAM
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メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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