Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 30

周辺 20% 低遅延

Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

考慮すべき理由
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17.5 16

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.8 12.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 19200

周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 30
読み出し速度、GB/s

16.0 17.5
書き込み速度、GB/秒

12.5 14.8
メモリ帯域幅、mbps

19200 21300

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 3575

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

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Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

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