Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 36

周辺 33% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 13.6

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 7.1

テスト平均値

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

考慮すべき理由
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 19200

周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 36
読み出し速度、GB/s

16.0 13.6
書き込み速度、GB/秒

12.5 7.1
メモリ帯域幅、mbps

19200 21300

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 2055

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

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Kingston 9965662-016.A00G 16GB

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Kingston 9905598-028.A00G 8GB

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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

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Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

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Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

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