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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XRMWRN-MIE 16GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Kingston XRMWRN-MIE 16GB

Kingston XRMWRN-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 31
    周辺 23% 低遅延
Kingston XRMWRN-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 12.5
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 3402

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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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