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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB 考慮すべき理由
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 38
    周辺 32% 低遅延
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 7.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1610 left arrow 1865

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