RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

総合得点
star star star star star
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB 考慮すべき理由
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 58
    周辺 57% 低遅延
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 6.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.9 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1922 left arrow 1998

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB RAMの比較

Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
メモリRAM
Mushkin 996902 2GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
メモリRAM